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艾默生Ovation本地输入输出转换面板(3A99266G01)
艾默生Ovation本地输入输出转换面板(3A99266G01)
艾默生Ovation本地输入输出转换面板(3A99266G01)
IGCT和SGCT
在GTO的基础上,近年开发出一种门极换流晶闸管(GCT),它采用了一些新技术,如:穿透型阳极,使电荷存储时间和拖尾电流减小,制约了二次击穿,可无缓冲器运行;加N缓冲层,使硅片厚度以及通态损耗和开关损耗减少;特殊的环状门极,使器件开通时间缩短且串、并联容易。因此,GCT除有GTO高电压、大电流、低导通压降的优点,又改善了其开通和关断性能,使工作频率有所提高。
为了尽快(例如1μs内)将器件关断,要求在门极PN不致击穿的-20V下能获得快于4000A/μs的变化率,以使阳极电流全部经门极极快泄流(即关断增益为1),采用低电感触发电路(例如门极电路电?lt;5nH)。为此,将这种门极电路配以MOSFET强驱动与GCT功率组件集成在一起,构成集成门极换流晶闸管(IGCT)。其改进形式之一则称为对称门极换流晶闸管(SGCT)。两者具有相似的特性。IGCT还可将续流二极管做在同一芯片上集成逆导型,可使装置中器件数量减少。
表1为GTO、IGCT、IGBT一些能数的比较。可以看出,在1kHz以下,IGCT有一定优点;在较高工作频率下,高压IGBT更具优势。
除上述三种器件外,现在还在开发一些新器件,例如新型大功率IGBT模块——“注入增强栅极晶体管”(IEGT),它兼有IGBT和GTO二者优点,即开关特性相当于IGBT,工作频率高,栅极驱动功率小(比GTO小二个数量级);而由于电子发射区注入增强,使器件的饱和压降进一步减小;功率相同时,缓冲电路的容量为GTO的1/10,安全工作区宽。现已有4.5kV/1kA的器件,可望在高频下获得应用。
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