中海德(福建)工业设备有限公司

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艾默生OvationPCI背板(3A99200G01)

发布者:祖月英 | 来源:中海德(福建)工业设备有限公司发布时间:2023-11-09
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艾默生
   

艾默生Ovation PCI背板(3A99200G01

艾默生Ovation PCI背板(3A99200G01

艾默生Ovation PCI背板(3A99200G01

在低压变频调速成熟、并获得广泛应用之后,现在不少厂家对中、高压电机采用变频调速正在跃跃欲试,犹如十多年前开始推广应用低压变频调速的情势一样(在电气传动领域,将2.3~10kV习惯上称作高压,而与电网电压相比,只能算作中压)。然而不像是低压变频器,无论哪种产品,它们的主电路形式基本相同,而中、高压变频器则到目前为止,还没有近乎统一的拓扑结构。为此,本文就目前中、高压变频器的有关知识作些阐述和介绍,以供选用时进行分析比较。


一、功率开关器件


中、高压变频器依赖于高电压、大电流的电力电子器件。目前应用于中、高压变频器的电力电子器件主要有下列几种。


1、GTO


门极可关断(GTO)晶闸管是目前能承受电压高和流过电流的全控型(亦称自关断)器件。它能由门极控制导通和关断,具有电流密度大、管压降低、导通损耗小、dv/dt耐量高等优点,目前已达6kV/6kA的生产水平,适合大功率应用。但是GTO有不足之处,那就是门极为电流控制,驱动电路复杂,驱动功率大(关断增益β=3~5);关断过程中内部成百甚至上千个GTO元胞不均匀性引起阴极电流收缩(挤流)效应,限制dv/dt。为此需要缓冲电路(亦称吸收电路),而缓冲电路既增大体积、重量、成本,又徒然增加损耗。另外,“拖尾”电流使关断损耗大,因而开关频率低。


2、IGBT


绝缘栅双极晶体管(IGBT)是后起之秀,它是一种复合型全控器件,具有MOSFET(输入阻抗高、开关速度快)和GTR(耐压高、电流密度大)二者的优点。栅极为电压控制,驱动功率小;开关损耗小,工作频率高;没有二次击穿,不需缓冲电路;是目前中等功率电力电子装置中的主流器件。除低压IGBT(1700V/1200A)外,已开发出高压IGBT,可达3.3kV/1.2kA或4.5kV/0.9kA的水平。IGBT的不足之处是,高压IGBT内阻大,因而导通损耗大;低压IGBT用于高压需多个串联。

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